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ß-Ga2O3单晶基片
- 产品概述：
- ß-Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景 ，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品名称
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ß-Ga2O3单晶基片 |
| 技术参数
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晶体结构： | 单斜晶系 | 晶格常数： | a=12.23A,b=3.04A, c=5.80A, ß=103.7° | 密度： | 5.95g/cm3 | 熔点： | 1725oC | 掺杂类型： | N型 | 电阻率： | R≤0.2Ω·cm | | 迁移率 | 300cm2/v·s | 禁带宽： | 4.8-4.9V |
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| 产品规格
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常规晶向： | (100) | 常规尺寸： | 10x10x0.7-0.8mm. | 抛光情况： | 单抛、双抛 | 表面粗糙度： | <15A | 注：尺寸可按照客户要求定做。 |
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| 晶体缺陷
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人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
| 标准包装
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1000级超净室100级超净袋真空包装 |
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