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Si+Si3N4薄膜
- 关键字：
- 进口料Silicon Nitride Film (LPCVD) on Silicom Wafer N type doped P
- 产品概述：
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 技术参数
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Si参数： | 晶向： | 掺杂类型：N型掺P； | 电阻率:1-20 ohm-cm； | 抛光：单抛； | Si3N4参数： | 生长方法：low stress LPCVD method | 薄膜厚度：1.3um ±5%；300 nm +/- 10% | 镀膜情况：Si3N4 covers both side of Silicon wafer |
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| 常规尺寸
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dia4" ±0.5mm x 0.525 ±0.025mm |
| 标准包装
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1000级超净室100级超净袋真空包装、单片盒或插盒 |
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