金刚石薄膜
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低阻DOI
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技术参数

Si基片晶向:

(100) + / - 0.5o

绝缘层：

SiO2

金刚石薄膜厚度: 

2 micron

氧化层厚度:

1 micron

电阻率：

<0.1 ohm-cm
 产品规格

4" diameter x0.5mm
标准包装

1000级超净室100级超净袋真空包装和单片盒装
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