1200℃等离子增强HPCVD回转炉系统
关键字:
包含原位热蒸发系统、4通道混气系统以及真空泵系统
型号:
OTF-1200X-II-PEC4
产品概述:
OTF-1200X-II-PEC4是一款1200℃等离子增强混合物理化学气相沉积(HPCVD)双温区回转炉系统。此系统由射频电源(带自动匹配功能)、上游原位蒸发舟、4通道质子流量计控制系统及性能优异的真空泵组成。此套完整的设备适用于无机复合粉末的热处理及粉末表面的均匀包覆(如:制备锂离子电池阴极粉末的导电涂层等)。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
设备名称

1200℃等离子增强HPCVD回转炉系统—OTF-1200X-II-PEC4 (2019.12.23—j9九游会实验室审核)

产品提示

1、多种配件可选提示   2、特殊设备尺寸设备   3、j9九游会实验室邀请提示   4、配件妥善保管提示

产品特点

▪ 炉体可在0 ~ 25°内倾斜有利于粉末样品的装入和取出

▪ 射频电源可实现等离子增强从而显著降低实验温度

▪ 齿轮驱动管式炉旋转可有效地提高复合粉末热处理的均匀性

▪ 4通道质子流量计控制系统可以对气体的输送进行精确的调控

▪ 集成在前端的带钨丝加热的坩埚舟可以对前驱体进行蒸发用于后续的混合物理化学气相沉积阶段。

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QQ截图20200629145546.jpg    image.png

           操作视频                   回转炉+送料器操作视频

加热炉参数

▪ 最高温度:1200ºC(<30min),连续工作温度:1100℃;

▪ 两个PID温度控制器及50段可编程温控系统;

▪ 输入功率:208-240V,单相,最大功率:2.5KW;

▪ 高纯氧化铝纤维保温层可以最大限度降低能耗;

▪ 回转炉旋转速度:2-10rpm;

▪ 炉体开启式设计,以达到对样品快速降温,方便更换炉管。


加热炉参数.jpg    图片1.jpg



更多参数请联系j9九游会销售部

蒸发舟参数

▪ 0.7mL氧化铝坩埚(由钨丝加热圈包围);

▪ S型热电偶插入坩埚中实现对蒸发物料的精确测温;

▪ 最高温度可达1300℃(<1h),长期使用温度:1200℃(当管内温度达800℃时,蒸发舟温度可达1500℃)。


蒸发舟图1.png    蒸发舟照片.jpg   蒸发舟图3.jpg

射频电源

▪ j9九游会公司现有不同功率的射频电源可供选择,以满足不同实验条件的需求。



300W射频电源

500W射频电源

100W射频电源

输出功率

0-300W可调

(稳定性:±1%)

0-500W可调

(稳定性:±1%)

0-100W可调

(稳定性:±1%)

射频频率

13.56 MHz

(稳定性:±0.5%)

13.56 MHz

(稳定性:±0.5%)

13.56 MHz

(稳定性:±0.5%)

匹配

自动匹配

自动匹配

手动匹配

噪音

<50dB

<50dB

<50dB

冷却方式

风冷

风冷

风冷

输入电压

AC180-250V

AC108-250V

AC110-240V

图片

图片2.jpg 

图片3.jpg 

图片4.jpg
真空系统

▪ 采用TRP-12的双旋真空泵;

▪ KF25卡箍及波纹管用于连接管式炉与真空泵;

▪ 真空度可达10-2Torr。


图片5.jpg

供气系统

▪ 四通道质子流量计控制系统可实现气体流量的精确控制(精确度:±0.02%);

▪ 流量范围:


一路

0-100 sccm

二路

0-200 sccm

三路

0-200 sccm

四路

0-500 sccm


▪ 电压:208-240V, AC, 50/60Hz;

▪ 气体进出口配件:6mm OD的聚四氟管或不锈钢管;

▪ 不锈钢针阀用于手动控制气体进出;

▪ PLC触摸屏可以简便地进行气体流量设置。


图片6.jpg      图片7.jpg

产品尺寸和重量

▪ 炉体尺寸:2800mm L ´ 800mm W ´1700mm H;

▪ 混气系统尺寸:600mmL´850mm W´700mm

▪ 净重:180kg


设备尺寸.jpg

认证

▪ 如您另外付费,我们可以保证单台仪器的TUV(UL61010)或CSA 认证

图片1.png

承诺

▪ 一年质保期,终身维护(不包括炉管、硅胶密封圈和加热元件)

▪ 因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。

国家专利

专利名称:一种等离子增强旋转炉装置


专利号:ZL 2019 2 1533393.7


尊重原创、鄙视抄袭、侵权必究。

j9九游会应用技术实验室利用PECVD在不同功率(75W、150W、300W)条件下沉积Sb2Se3薄膜,实验结果如下:


图片1.jpg


组别

SEM结果

元素百分比



Sb (%)

Se(%)

未经任何处理的样品


1.jpg

2.jpg

40.01

59.99

等离子体处理


3.jpg

4.jpg

41.04

58.96

等离子体处理 min


5.jpg

6.jpg

41.64

58.36

等离子体处理5 min


7.jpg

8.jpg

41.86

58.14

小结:

(1)等离子体能改变Sb2Se3薄膜的形貌,同时改变Sb2Se3的组成;

(2)随着射频电源功率的增加,Sb2Se3中的Se百分含量降低。





组别

SEM结果

元素百分比



Sb (%)

Se(%)

10W、条件下沉积Sb2Se3


1.jpg

2.jpg

40.01

59.99

75W、条件下沉积Sb2Se3


3.jpg

4.jpg

70.28

29.72

75W、3Pa且补充0.1g Se粉沉积Sb2Se3


5.jpg

6.jpg

43.13

56.87

75W、且补充2粉末(10%质量比Sb2Se3)沉积Sb2Se3

7.jpg

8.jpg

Sn: 22.78 Sb: 25.77

51.44

小结:

(1)低功率等离子体条件下可得到近原子比的Sb2Se3;

(2)高压条件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜;

(3)添加Se会破坏PECVD沉积的Sb2Se3的原子比;

(4)当SnSe2质量比为10%时,可以得到Sb:Sn摩尔比接近于的薄膜,该方法适用于掺杂。



XRD结果


图片2.jpg

警示

▪ 炉管内气压不可高于0.02 MPa;

▪ 由于气瓶内部气压较高,所以向炉管内通入气体时,气瓶上必须安装减压阀,建议在本公司选购减压阀,本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加精确安全;

▪ 石英管的长时间使用温度<1100℃;

▪ 当炉体温度高于1000℃时,炉管内不可处于真空状态,炉管内的气压需和大气压相当,保持在常压状态;

▪ 射频电源工作时,请勿触碰。

应用技术提示

▪ 通入炉内气体流量需小于200 sccm,以避免冷的大气流对加热石英管造成冲击;

▪ 加热时,不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀。若需要关闭气阀对样品加热,则需时刻关注压力表的示数,若气压表示数大于0.02 MPa,需立刻打开泄气阀,以防意外发生(如炉管破裂、法兰飞出等);

▪ 射频电源在低气压、低功率条件下起辉。

防腐型真空表

(可选)

▪ 输入电源24V,1A  DC(配有电压转换器);

▪ 测量范围3.8´10-5-1125 Torr;

▪ 数据显示:数显(屏幕尺寸为20´14mm),其单位为torr

▪ 连接:1/8"NPT 接头

▪ 产品尺寸 46mm×28mm×126mm ( L´W´ H)


配件真空表.jpg

炉管

▪ 高纯异形石英管尺寸:两端:25 mm OD´22 mm ID;中间:50mm O.D´44mm I.D´190mm L


欧陆.jpg

真空系统

(可选)

▪ j9九游会公司提供一系列低真空、高真空及进口高真空设备,以满足在不同真空条件下的实验需求。


低真空系统

国产高真空系统

进口高真空系统

低真空系统.png

高真空.jpg

进口高真空.png

                   

供气系统

(可选)

▪ j9九游会公司提供各种通道浮子、质子流量计可供选择,以实现气体流量的精确控制。


单通道浮子

单通道质子

两通道浮子

两通道质子

多通道浮子(防腐)

1通道浮子.jpg

1通道质子.jpg

2通道浮子.JPG

2通道质子.jpg

3通道浮子(防腐).jpg


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