滑动式双温区PECVD系统
型号:
OTF-1200X-II-4CV-PE-SL-UL
产品概述:
OTF-1200X-II-4CV-PE-SL是一款滑动式双温区PECVD 管式炉系统。该系统包含等离子射频电源,80mm OD1800mm L的滑动式双温区管式炉,4通道质量流量供气系统和机械泵机组,可用于生长纳米或石墨烯材料。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
设备名称

滑动式双温区PECVD系统——OTF-1200X-II-4CV-PE-SL (2019.12.23—j9九游会实验室审核)

产品提示

1、多种配件可选提示   2、特殊设备尺寸设备   3、j9九游会实验室邀请提示   4、配件妥善保管提示

产品特点

▪ 射频电源可实现等离子增强从而显著降低实验温度;

▪ 滑轨式可快速加热和快速冷却;   

▪ 两个加热区,温度梯度最大可达 200ºC;

▪ 可在温度范围较大的条件下制备材料,如碳、ZnO纳米管或纳米线及单层石墨烯等。

加热炉参数

▪ 最高温度:1200ºC(<30min),连续工作温度:1100℃;

▪ 两个PID温度控制器及50段可编程温控系统;

▪ 输入功率:208-240V,单相,最大功率:3KW;

▪ 高纯氧化铝纤维保温层可以最大限度降低能耗;

▪ 炉体开启式设计,以达到对样品快速降温,方便更换炉管。


设备主图.jpg  图片2.jpg



多参数请联系j9九游会销售部

射频电源

▪ j9九游会公司现有不同功率的射频电源可供选择,以满足不同实验条件的需求。


项目

300W射频电源

500W射频电源

100W射频电源

输出功率

0-300W可调

(稳定性:±1%)

0-500W可调

(稳定性:±1%)

0-100W可调

(稳定性:±1%)

射频频率

13.56 MHz

(稳定性:±0.5%)

13.56 MHz

(稳定性:±0.5%)

13.56 MHz

(稳定性:±0.5%)

匹配

自动匹配

自动匹配

自动匹配

噪音

<50dB

<50dB

<50dB

冷却方式

风冷

风冷

风冷

输入电压

AC108-250V

AC108-250V

AC180-250V

图片

图片2.jpg 

图片3.jpg 

图片4.jpg
真空系统

▪ 采用TRP-12的双旋真空泵;

▪ KF25卡箍及波纹管用于连接管式炉与真空泵;

▪ 真空度可达10-2Torr。

真空系统.png


·搭配TRP-12的双旋真空泵(抽速3L/s)(总进气量小于150sccm,该泵可以达到等离子发生真空度)

·搭配TRP-60双旋真空泵(抽速10L/s)(总进气量1L/min,该泵可以达到等离子发生真空度)

供气系统

▪ 四通道质子流量计控制系统可实现气体流量的精确控制(精确度:±0.02%);

▪ 流量范围:

一路

0-100 sccm

二路

0-200 sccm

三路

0-200 sccm

四路

0-500 sccm

▪ 电压:208-240V, AC, 50/60Hz;

▪ 气体进出口配件:6.35mm的聚四氟管或不锈钢管;

▪ 不锈钢针阀用于手动控制气体进出;

▪ PLC触摸屏可以简便地进行气体流量设置。

注:接入供气系统的气源需搭配减压阀,将气压降至2mpa以下


图片3.jpg    图片4.jpg

产品尺寸和重量

▪ 设备总体尺寸:2200mm L´800mm W´1500mm H

▪ 净重:610kg


产品尺寸.JPG

注意

采用氩气高于射频功率200w情况下,需特殊说明,设备需要特殊改造及测试,(有法兰过热情况)

认证

▪ 如您另外付费,我们可以保证单台仪器的TUV(UL61010)或CSA 认证


图片5.jpg

承诺

▪ 一年质保期,终身维护(不包括炉管、硅胶密封圈和加热元件)

▪ 因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。

j9九游会应用技术实验室利用PECVD在不同功率(75W、150W、300W)条件下沉积Sb2Se3薄膜,实验结果如下:


图片6.jpg



组别

SEM结果

元素百分比



Sb(%)

Se(%)

未经任何处理的样品

1.jpg

2.jpg

40.01

59.99

75W等离子体处理5 min

3.jpg

4.jpg

41.04

58.96

150 W等离子体处理5 min

5.jpg

6.jpg

41.64

58.36

300 W等离子体处理5 min

7.jpg

8.jpg

41.86

58.14


小结:

(1)等离子体能改变Sb2Se3薄膜的形貌,同时改变Sb2Se3的组成;

(2)随着射频电源功率的增加,Sb2Se3中的Se百分含量降低。




组别

SEM结果

元素百分比



Sb(%)

Se(%)

10W、3Pa条件下沉积Sb2Se3

9.jpg

10.jpg

40.01

59.99

75W、133Pa条件下沉积Sb2Se3

11.jpg

12.jpg

70.28

29.72

75W、3Pa且补充0.1g Se粉沉积Sb2Se3

13.jpg

14.jpg

43.13

56.87

75W、3Pa且补充0.02g SnSe2粉末(10%质量比Sb2Se3)沉积Sb2Se3

15.jpg

16.jpg

Sn: 22.78 Sb: 25.77

51.44


小结:

(1)低功率等离子体条件下可得到近原子比的Sb2Se3;

(2)高压条件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜;

(3)添加Se会破坏PECVD沉积的Sb2Se3的原子比;

(4)当SnSe2质量比为10%时,可以得到Sb:Sn摩尔比接近于1的薄膜,该方法适用于掺杂。



XRD结果

图片9.jpg


pecvd.png

警示

▪ 炉管内气压不可高于0.02 MPa;

▪ 由于气瓶内部气压较高,所以向炉管内通入气体时,气瓶上必须安装减压阀,建议在本公司选购减压阀,本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加精确安全;

▪ 石英管的长时间使用温度<1100℃;

▪ 当炉体温度高于1000℃时,炉管内不可处于真空状态,炉管内的气压需和大气压相当,保持在常压状态;

▪ 射频电源工作时,请勿触碰。

应用技术提示

▪ 通入炉内气体流量需小于200 sccm,以避免冷的大气流对加热石英管造成冲击;

▪ 加热时,不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀。若需要关闭气阀对样品加热,则需时刻关注压力表的示数,若气压表示数大于0.02 MPa,需立刻打开泄气阀,以防意外发生(如炉管破裂、法兰飞出等);

▪ 射频电源在低气压、低功率条件下起辉。

防腐型真空表

(可选)

▪ 输入电源24V,1A  DC(配有电压转换器);

▪ 测量范围3.8´10-5-1125 Torr;

▪ 数据显示:数显(屏幕尺寸为20´14mm),其单位为torr

▪ 连接:1/8"NPT 接头

▪ 产品尺寸 46mm×28mm×126mm ( L´W´ H)


图片10.jpg

控温仪表

(可选)

▪ 单回路、双回路和三回路控制模式;

▪ 每个回路可实现双输入,双保护;

▪ 各回路可PID、串级、比率等回路控制;

▪ 数码显示,配备7个按键,可用于进行各控制回路的切换和参数修改;

▪ 最多可存储50个程序,每个程序最多可有3个不同的设定值(即3条不同的曲线),最多可设置500段升降温程序;

▪ 通讯方式多样,Modbus/Profibus DP/DeviceNet/EI-Bisync/RS485通讯接口,可连接PC进行远程控制。


图片12.jpg

真空系统

(可选)

▪ j9九游会公司提供一系列低真空、高真空及进口高真空设备,以满足在不同真空条件下的实验需求。


低真空系统

国产高真空系统

进口高真空系统

图片13.jpg

图片14.jpg

图片15.jpg

供气系统

(可选)

▪ j9九游会公司提供各种通道浮子、质子流量计可供选择,以实现气体流量的精确控制。


单通道浮子

单通道质子

两通道浮子

两通道质子

多通道浮子(防腐)

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图片17.jpg

图片18.jpg

图片19.jpg

图片20.jpg


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